在科技界的一次重量級(jí)對(duì)話中，美國(guó)國(guó)家發(fā)明家科學(xué)院院士及世界科學(xué)院院士盧志遠(yuǎn)，分享了他在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域的深度見解與卓越貢獻(xiàn)。盧志遠(yuǎn)，同時(shí)擔(dān)任旺宏電子總經(jīng)理、科技總監(jiān)以及欣銓科技股份有限公司董事長(zhǎng)，他的科研生涯如同一部探索與創(chuàng)新的史詩(shī)。
盧志遠(yuǎn)院士的科研成就尤為突出，他榮獲了2025年未來(lái)科學(xué)大獎(jiǎng)——數(shù)學(xué)與計(jì)算機(jī)科學(xué)獎(jiǎng)，以表彰其在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域的杰出貢獻(xiàn)。他的發(fā)明不僅將閃存技術(shù)的壽命從原先的1萬(wàn)次擦寫提升至1億次以上，更推動(dòng)了存儲(chǔ)技術(shù)的革命性進(jìn)步。
在對(duì)話中，盧志遠(yuǎn)詳細(xì)闡述了閃存、硬盤與內(nèi)存之間的根本差異。他解釋道，硬盤基于電磁原理運(yùn)作，內(nèi)存則是晶體管與電容器的結(jié)合，而閃存則通過(guò)特殊材料的晶體管，利用電子的有無(wú)來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。這一過(guò)程雖然較慢，但因其獨(dú)特的擦除機(jī)制——一次擦除一個(gè)區(qū)塊，使得閃存成為了一種高效的存儲(chǔ)介質(zhì)。
談及閃存技術(shù)的關(guān)鍵突破，盧志遠(yuǎn)強(qiáng)調(diào)了“自我修復(fù)”機(jī)制的重要性。他利用量子隧穿效應(yīng)進(jìn)行寫入與擦除操作，并通過(guò)加熱使被撞歪的原子重新排列，恢復(fù)原狀，從而延長(zhǎng)了閃存的使用壽命。這一創(chuàng)新技術(shù)被學(xué)術(shù)界譽(yù)為“永不損壞的閃存”，其背后的核心在于對(duì)材料細(xì)節(jié)的深刻理解和物理機(jī)制的精準(zhǔn)掌握。
盧志遠(yuǎn)的科研之路始于物理學(xué)，他對(duì)半導(dǎo)體材料的濃厚興趣引領(lǐng)他踏入了這一領(lǐng)域。在貝爾實(shí)驗(yàn)室的工作經(jīng)歷，讓他深刻認(rèn)識(shí)到基礎(chǔ)研究與應(yīng)用轉(zhuǎn)化之間的緊密聯(lián)系。1989年，他主持的“次微米計(jì)劃”成功突破了集成電路行業(yè)的極限挑戰(zhàn)，將器件工藝推進(jìn)至納米級(jí)別，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
對(duì)于基礎(chǔ)科學(xué)人才的培養(yǎng)，盧志遠(yuǎn)給予了高度評(píng)價(jià)。他認(rèn)為，中國(guó)在過(guò)去二三十年間對(duì)教育和科研的巨大投入，已經(jīng)培養(yǎng)出了一大批視野開闊、正值黃金階段的優(yōu)秀科研人才。在基礎(chǔ)研究和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用方面，中國(guó)都已展現(xiàn)出了強(qiáng)勁的競(jìng)爭(zhēng)力。
盧志遠(yuǎn)還展望了半導(dǎo)體領(lǐng)域的未來(lái)趨勢(shì)。他指出，AI的快速發(fā)展對(duì)算力提出了更高要求，這推動(dòng)了存算合一、3D堆疊等新方向的探索。同時(shí)，他也強(qiáng)調(diào)了材料與結(jié)構(gòu)根本性創(chuàng)新的重要性，認(rèn)為這是推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)進(jìn)步的關(guān)鍵。
在對(duì)話中，盧志遠(yuǎn)還分享了自己的科研心得。他認(rèn)為，科研人員應(yīng)具備主動(dòng)探索的習(xí)慣，不要急于尋找答案，而是要敢于提出問(wèn)題。這種科研素養(yǎng)的培養(yǎng)，對(duì)于年輕科研人員來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。
盧志遠(yuǎn)的科研生涯和成就，不僅彰顯了他在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域的卓越貢獻(xiàn)，更為全球科技界樹立了榜樣。他的創(chuàng)新精神和對(duì)科學(xué)的執(zhí)著追求，將激勵(lì)著更多科研人員投身于科技創(chuàng)新的浪潮中。
