英偉達近日公布了一項重大決策，計劃自主研發基于3nm工藝的HBM內存Base Die，并預計在2027年下半年進入小規模試產階段。這一舉措背后，是公司意在彌補在HBM技術與生態系統上的不足。
據悉，英偉達未來的HBM供應鏈模式將發生轉變，將采用“內存原廠DRAM Die結合英偉達自研Base Die”的新組合。這一變化標志著英偉達在高性能計算存儲架構的垂直整合策略上邁出了重要一步。
HBM（高帶寬內存）在AI芯片領域的重要性日益凸顯，已成為突破“存儲墻”的關鍵技術。從A100系列到Blackwell Ultra系列，HBM在芯片物料成本中的占比已超過半數。當前，HBM市場主要由SK海力士、三星和美光三大廠商主導，其中SK海力士占據領先地位。
隨著HBM4時代的到來，對傳輸速率的要求將達到10Gbps以上，Base Die的制造必須依賴先進邏輯制程，如臺積電等晶圓代工廠將成為關鍵合作伙伴。
英偉達自研Base Die的舉措，不僅旨在增強供應鏈中的議價能力，更著眼于通過引入高性能特性，提升HBM與GPU/CPU之間的數據傳輸效率，從而進一步鞏固其在NVLink-Fusion開放架構生態中的地位。
這一戰略決策將對現有的存儲芯片廠商產生沖擊。英偉達的加入將打破以SK海力士為代表的存儲原廠的技術壟斷，迫使其角色從提供整體解決方案轉向單純的組件供應商。同時，混合鍵合、新型中介層等配套技術的需求預計將大幅提升，為上游材料與設備產業帶來新的發展機遇。
盡管英偉達自研的Base Die方案可能難以直接被大型芯片封裝廠（CSP）采納，但其模組化設計有望為聯發科、世芯等合作伙伴帶來利好。隨著英偉達與SK海力士在HBM4量產上的競相推進，HBM市場即將迎來一場激烈的競爭和格局的重塑。
