近日，半導(dǎo)體行業(yè)傳來(lái)消息，三星電子向英偉達(dá)提供的HBM4內(nèi)存樣品已經(jīng)成功通過(guò)了初期測(cè)試與質(zhì)量驗(yàn)證，標(biāo)志著該系列芯片即將邁入預(yù)生產(chǎn)階段。這一進(jìn)展預(yù)示著三星即將在高端內(nèi)存市場(chǎng)上邁出重要一步。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，“預(yù)生產(chǎn)”（PP，即Pre-Production）是半導(dǎo)體芯片進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)前的最后一道關(guān)卡。在這一階段，HBM4芯片將接受與客戶GPU產(chǎn)品的兼容性測(cè)試，以及在不同溫度條件下的性能與質(zhì)量穩(wěn)定性考驗(yàn)。這些測(cè)試旨在確保芯片在實(shí)際應(yīng)用中能夠滿足高標(biāo)準(zhǔn)的質(zhì)量要求。
據(jù)韓國(guó)媒體SEDaily報(bào)道，這批HBM4芯片預(yù)計(jì)將應(yīng)用于英偉達(dá)下一代AI加速器“Rubin”中。目前，英偉達(dá)HBM芯片的獨(dú)家供應(yīng)商為SK海力士。SK海力士在今年3月已向英偉達(dá)提供了HBM4樣品，并于6月初開(kāi)始初期量產(chǎn)，計(jì)劃在10月全面擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。
三星若能順利通過(guò)預(yù)生產(chǎn)階段，其HBM4芯片有望在11月正式投入量產(chǎn)。這將極大地縮短三星與SK海力士在高端內(nèi)存市場(chǎng)的差距，為三星在AI存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域占據(jù)更多市場(chǎng)份額奠定基礎(chǔ)。
業(yè)內(nèi)人士還預(yù)測(cè)，三星的HBM3E 12層產(chǎn)品也有望在本月底通過(guò)英偉達(dá)的質(zhì)量測(cè)試，并正式開(kāi)始供貨。這一連串的進(jìn)展不僅提升了三星在高端內(nèi)存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力，也為英偉達(dá)在與SK海力士的供貨量和芯片價(jià)格談判中增添了籌碼。
SEDaily指出，若三星能夠順利向英偉達(dá)供應(yīng)HBM4和HBM3E芯片，明年的AI存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)或?qū)⒂瓉?lái)重大變革。金融投資界普遍認(rèn)為，三星明年的HBM銷售額有望實(shí)現(xiàn)倍數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。然而，當(dāng)SEDaily就此事向三星求證時(shí)，三星方面表示：“涉及客戶的相關(guān)信息，我們無(wú)法確認(rèn)。”
