近日，據臺灣數字媒體digitimes報道，SK海力士在英偉達Blackwell Ultra架構芯片的第五代內存供應方面取得了獨家合作機會，預計將為其提供12層HBM3E內存，此舉或將進一步鞏固SK海力士在行業內相對于三星電子與美光的領先地位。
回顧去年9月，SK海力士在全球范圍內率先實現了12層HBM3E芯片的量產，該芯片的最大容量達到了36GB。其運行速度之快，可達9.6Gbps，這一性能在搭載四個HBM的GPU上運行如“Llama 3 70B”這樣的大型語言模型時，每秒能讀取35次700億個整體參數，展現了其卓越的處理能力。
值得注意的是，早在去年11月，SK集團會長崔泰源便透露，英偉達CEO黃仁勛已向SK海力士提出提前六個月供應下一代高帶寬內存芯片HBM4的要求。SK海力士對此積極響應，計劃在2025年下半年推出首批采用12層DRAM堆疊的HBM4產品，而更先進的16層堆疊HBM則預計于2026年推出。
與此同時，三星電子在高帶寬內存領域也并未停下腳步。據彭博社今年2月的報道，三星電子已獲得向英偉達供應其8層HBM3E高帶寬存儲芯片的批準。盡管這一進展標志著三星在該領域向前邁出了一步，但相較于SK海力士和美光科技，三星在高帶寬內存技術方面仍存在一定的差距。
美光科技方面，該公司執行副總裁兼首席財務官Mark Murphy在今年2月也透露了一個重要信息，即美光的12層堆疊HBM內存產品（12Hi HBM3E）即將進入放量階段。這一消息無疑為美光在高帶寬內存市場的競爭增添了新的動力。
隨著SK海力士、三星電子和美光科技在高帶寬內存領域的不斷角逐，這一市場正迎來前所未有的競爭態勢。而英偉達作為這些高端內存的重要客戶，其選擇無疑將對市場格局產生深遠影響。
隨著數據中心和人工智能等領域的快速發展，對高帶寬內存的需求正日益增長。SK海力士、三星電子和美光科技等企業在這一領域的持續投入和創新，無疑將為這些新興領域提供更加堅實的基礎。
總的來說，高帶寬內存市場的競爭正日益激烈，而SK海力士憑借其領先的技術和與英偉達的獨家合作，有望在這一領域繼續保持其領先地位。同時，三星電子和美光科技等企業的不斷努力也將為市場帶來更多驚喜。
