在人工智能技術的快速發展背景下，半導體先進封裝技術正逐漸從幕后走到臺前，成為AI芯片制造領域的焦點。這項技術通過集成不同功能、制程、尺寸和廠商的芯粒，以靈活、高效且經濟的方式打造系統級芯片，贏得了眾多AI芯片廠商的青睞。
作為全球半導體行業的領軍企業，英特爾自上世紀70年代起便致力于封裝技術的創新，積累了深厚的經驗。面對AI時代的挑戰，英特爾正攜手生態系統伙伴和基板供應商，共同制定標準，推動先進封裝技術在整個行業的應用。秉承“系統工藝協同優化”的理念，英特爾代工服務不僅提供傳統的封裝、互連和基板技術，還涵蓋了系統級架構與設計服務，以及熱管理和功耗管理等全方位支持。
英特爾代工的先進系統封裝及測試技術組合豐富多樣，包括FCBGA 2D、FCBGA 2D+、EMIB 2.5D、EMIB 3.5D、Foveros 2.5D & 3D以及Foveros Direct 3D等技術。這些技術各具特色，能夠滿足不同場景下的需求。
FCBGA 2D技術適用于成本敏感、I/O數量較少的產品；FCBGA 2D+則通過增加基板層疊技術，減少了高密度互連的面積，降低了成本，特別適用于網絡和交換設備等產品。EMIB 2.5D技術通過微型硅橋連接芯片，適用于高密度的芯片間連接，在AI和高性能計算領域展現出卓越性能。而EMIB 3.5D則引入了3D堆疊技術，增加了堆疊的靈活性，能夠根據IP特性選擇垂直或水平堆疊，避免了大型中介層的使用。
Foveros 2.5D和3D技術則采用焊料連接方式，適合高速I/O與較小芯片組分離的設計；Foveros Direct 3D技術則通過銅和銅直接鍵合，實現了更高的互連帶寬和更低的功耗，提供了卓越的性能。這些技術并非相互排斥，而是可以在一個封裝中同時使用，為復雜芯片的設計提供了極大的靈活性。
針對AI芯片的封裝需求，EMIB 2.5D技術相較于其他晶圓級2.5D技術具有顯著優勢。首先，在成本效益方面，EMIB技術采用的硅橋尺寸小，制造時能更高效地利用晶圓面積，減少了空間和資源的浪費，降低了綜合成本。其次，在良率提升方面，EMIB技術省略了晶圓級封裝步驟，減少了復雜工藝帶來的良率損失風險，提高了整體生產過程的良率。
在生產效率方面，EMIB技術的制造步驟更少、復雜度更低，生產周期更短，能夠為客戶節省時間。在市場動態快速變化的情況下，這種時間優勢有助于客戶更快地獲得產品驗證數據，加速產品上市。在尺寸優化方面，EMIB技術將硅橋嵌入基板，提高了基板面積的利用率，能夠在單個封裝中集成更多芯片，容納更多工作負載。最后，在供應鏈與產能方面，英特爾擁有成熟的供應鏈和充足的產能，確保了EMIB技術能夠滿足客戶對先進封裝解決方案的需求。
英特爾在先進封裝技術領域的不斷創新，不僅推動了AI芯片制造的發展，也為全球半導體產業注入了新的活力。隨著技術的不斷進步和應用場景的拓展，英特爾將繼續引領和推動先進封裝技術的發展，為行業帶來更多的創新和突破。
