NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)鎧俠KIOXIA，在近期舉行的公司戰(zhàn)略會(huì)議上，公布了其面向人工智能（AI）時(shí)代的長(zhǎng)期發(fā)展藍(lán)圖。該戰(zhàn)略聚焦于滿(mǎn)足AI應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)速度及性能的極致需求，其中一項(xiàng)關(guān)鍵舉措是開(kāi)發(fā)一款專(zhuān)為AI設(shè)計(jì)的固態(tài)硬盤(pán)（SSD）。
這款創(chuàng)新的SSD將融合XL-FLASH高性能SLC NAND閃存與全新設(shè)計(jì)的SSD控制器，旨在提供前所未有的隨機(jī)讀取性能，達(dá)到驚人的10M IOPS，這一數(shù)字是當(dāng)前市場(chǎng)上企業(yè)級(jí)TLC PCIe 5.0 SSD（約3000+K IOPS）的三倍之多。鎧俠預(yù)計(jì)，該產(chǎn)品的樣品將在2024年下半年面世。
在存儲(chǔ)技術(shù)層級(jí)中，位于DRAM與普通NAND閃存之間的SCM（存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存）領(lǐng)域，鎧俠亦有所布局。公司計(jì)劃在2026年下半年推出支持CXL協(xié)議的XL-FLASH存儲(chǔ)產(chǎn)品，進(jìn)一步拓展其在高端存儲(chǔ)市場(chǎng)的版圖。同時(shí)，鎧俠正與南亞科技合作，共同研發(fā)基于4F2架構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體（IGZO）通道晶體管DRAM內(nèi)存，即OCTRAM，該技術(shù)有望大幅降低漏電流并提升能效。
在NAND閃存技術(shù)方面，鎧俠同樣展示了其未來(lái)的發(fā)展路線(xiàn)圖。下一代BiCS 10技術(shù)將實(shí)現(xiàn)332層堆疊，最大容量可達(dá)2Tb，接口速率將飆升至4800MT/s。不僅如此，該技術(shù)還將帶來(lái)讀取延遲的減少、寫(xiě)入功耗的降低以及比特密度的提升，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)革命性的變化。
通過(guò)這些前瞻性的技術(shù)研發(fā)與市場(chǎng)布局，鎧俠正穩(wěn)步邁向AI時(shí)代的存儲(chǔ)前沿，致力于為用戶(hù)提供更高效、更可靠的存儲(chǔ)解決方案。
