在國內光子芯片領域迎來重大突破之際，上海交大無錫光子芯片研究院（CHIPX）宣布成功下線國內首片6寸薄膜鈮酸鋰光子芯片晶圓。這一成就標志著我國在高性能光子芯片制造技術上取得了關鍵進展，同時實現了超低損耗、超高帶寬的薄膜鈮酸鋰調制器芯片的規模化量產。
光量子芯片作為光量子計算的核心組件，其產業化進程對于我國在量子信息領域的自主可控發展具有重大意義。然而，長期以來，我國光量子技術面臨著實驗室成果難以量產的困境，這嚴重制約了產業的發展。為了打破這一瓶頸，CHIPX于2022年啟動了國內首條光子芯片中試線的建設。
經過不懈努力，2024年9月，CHIPX正式啟用了集光子芯片研發、設計、加工和應用為一體的中試線。如今，首片6寸薄膜鈮酸鋰光子芯片晶圓成功下線，標志著中試平臺已經具備了量產能力。這一突破不僅解決了共性關鍵工藝技術平臺的缺失問題，更為我國在量子科技競爭中搶占制高點提供了有力支撐。
薄膜鈮酸鋰因其超快電光效應、高帶寬和低功耗等優勢，在5G通信、量子計算等領域展現出巨大潛力。然而，由于其材料脆性大，大尺寸薄膜鈮酸鋰晶圓的制備一直是個難題。CHIPX工藝團隊通過引進110余臺國際頂級CMOS工藝設備，覆蓋了薄膜鈮酸鋰晶圓從光刻到封裝的全閉環工藝，成功攻克了這一難題。
團隊通過創新性開發芯片設計、工藝方案與設備系統的協同適配技術，實現了從光刻圖形化到封裝測試的全制程工藝突破。在6寸鈮酸鋰晶圓上，團隊實現了110nm高精度波導刻蝕，并通過步進式光刻完成了高均一性、納米級波導與復雜高性能電極結構的跨尺度集成。
憑借中試平臺先進的納米級加工設備和快速工藝迭代能力，CHIPX工藝團隊在性能上實現了跨越式突破。調制帶寬突破110GHz，插入損耗低于3.5dB，波導損耗低于0.2dB/cm，調制效率達到1.9V·cm。這些關鍵指標的全面領先，標志著我國在高性能光子芯片技術上取得了重大進展。
為了推動光子芯片技術的進一步發展，CHIPX還發布了PDK工藝設計包，將高性能薄膜鈮酸鋰調制器芯片的核心工藝參數與器件模型全面納入并開放共享。研究院還面向高校、科研院所及企業提供從概念設計到流片驗證再到量產的全流程技術服務。
CHIPX通過開放DUV光刻、電子束刻蝕等110臺套核心設備，為芯片設計、流片代工到測試驗證提供了閉環服務。同時，研究院還聯合高校院所攻關核心技術，牽頭承擔了多項國家級重點研發項目。CHIPX還聯動了國內首支光子芯片產業基金，為初創硬科技企業提供資金支持及運營賦能。
自2021年成立以來，CHIPX在無錫市與上海交通大學的合作框架下，致力于高端光子芯片的研發和產業化應用。通過布局國內首條光子芯片中試線，研究院推動了量子計算機、通用光子處理器、三維光互連芯片等技術在無錫市的落地轉化。
圍繞光子芯片中試線平臺的基礎設施和研發支撐，CHIPX正在建設核心技術和產業形態聚焦的“光子芯谷”。這一舉措旨在打造以光子芯片底層技術為驅動，面向量子計算、人工智能、光通信、光互連、激光雷達、成像與顯示、智能傳感的新一代光子科技產業集群。
