近期，華為在芯片封裝技術領域取得的新進展引發了業界的廣泛關注。據可靠消息透露，華為已申請了一項名為“四芯片”封裝設計的創新專利，這一專利或將應用于其下一代AI芯片——昇騰910D中。據悉，該設計在理念上與NVIDIA的Rubin Ultra架構存在相似之處，但華為正致力于獨立研發其獨特的先進封裝技術。
華為此次推出的專利技術，與臺積電所采用的CoWoS-L橋接技術有著異曲同工之妙，而并非簡單的中間層技術。為了應對AI訓練處理器對高性能的需求，這款芯片預計將集成多組HBM內存，并通過創新的中間層互連技術，實現性能的大幅提升。
盡管在先進制程技術上，華為可能面臨一定的挑戰，但在先進封裝領域，華為的技術實力已與臺積電不相上下。這一突破意味著，中國廠商可以通過整合多個成熟制程芯片，并利用先進的封裝技術，實現整體性能的大幅躍升，從而有效縮小與先進制程芯片的差距。
回顧此前，華為創始人任正非在接受權威媒體采訪時，曾就芯片問題表達了樂觀態度。他指出，華為可以通過芯片疊加、集群等方式，在計算性能上達到與最先進水平相當的效果。對此，NVIDIA的CEO黃仁勛也給出了自己的解讀。他認為，任正非的觀點實際上揭示了中國在人工智能領域的一種獨特策略，即利用更多的芯片來推動AI的發展。
黃仁勛進一步強調，盡管NVIDIA在技術上仍領先華為一代，但AI問題具有高度的并行性。這意味著，如果單個計算設備的性能不足，完全可以通過增加更多的設備來彌補。他還指出，中國擁有豐富的能源資源，這為中國利用大量芯片解決AI問題提供了有力保障。
黃仁勛的言論，從某種程度上反映了中國技術在滿足國內需求方面的能力。他認為，即使美國不參與中國市場，華為也有足夠的能力覆蓋中國以及全球其他市場的需求。這一觀點，無疑為華為在芯片封裝技術領域的新進展增添了更多看點。
