近期，有關(guān)蘋果將在其2027年推出的iPhone 20周年紀(jì)念版中采用HBM DRAM技術(shù)的傳聞引起了廣泛關(guān)注。HBM DRAM，專為CPU和GPU設(shè)計(jì)，以其高速、高帶寬特性著稱，相較于當(dāng)前主流的DDR內(nèi)存，不僅在帶寬和速度上有所提升，而且在功耗方面實(shí)現(xiàn)了顯著降低。更重要的是，其封裝面積的大幅縮小使得它能夠與芯片直接封裝在一起，為設(shè)備性能的提升帶來了更多可能。
據(jù)知情人士透露，蘋果在引入這種新型存儲技術(shù)后，其設(shè)備的整體性能將實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍，特別是在人工智能領(lǐng)域。然而，值得注意的是，蘋果在這一領(lǐng)域的步伐并非領(lǐng)先，因?yàn)槿A為已經(jīng)先行一步，早于蘋果采用了HBM DRAM技術(shù)。盡管具體哪一款華為手機(jī)將搭載這一技術(shù)尚未明確，但可以推測，很可能是近兩年內(nèi)發(fā)布的新品。
面對當(dāng)前無法采用最先進(jìn)制造工藝的挑戰(zhàn)，華為在技術(shù)創(chuàng)新上依然展現(xiàn)出了強(qiáng)勁的實(shí)力。尤其是在生成式人工智能領(lǐng)域，華為相較于蘋果擁有明顯優(yōu)勢。HBM DRAM作為提升人工智能性能的關(guān)鍵技術(shù)，其普及將有望使華為在這一領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位。隨著技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用范圍的擴(kuò)大，華為有望通過這一技術(shù)進(jìn)一步鞏固其在人工智能市場的地位。
目前，智能手機(jī)市場上最先進(jìn)的內(nèi)存規(guī)格為LPDDR5X，而LPDDR6內(nèi)存預(yù)計(jì)將在2026年下半年開始逐步應(yīng)用。據(jù)相關(guān)報道，三星計(jì)劃于2026年下半年開始生產(chǎn)LPDDR6內(nèi)存，而高通也表示將在其未來的芯片組中支持這一內(nèi)存規(guī)格。隨著新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和應(yīng)用，智能手機(jī)市場的競爭將更加激烈，各大廠商將不斷尋求技術(shù)創(chuàng)新以提升自己的競爭力。
