近期，半導體材料領域迎來了重大突破，天岳先進公司在全球知名的德國慕尼黑半導體展覽會上，震撼發布了其自主研發的12英寸（300mm）碳化硅襯底產品。這一里程碑式的創新，不僅刷新了碳化硅襯底技術的行業標準，更彰顯了天岳先進在全球碳化硅材料市場的領先地位。
德國慕尼黑半導體展覽會作為全球半導體行業的盛會，吸引了眾多國際知名企業參展。天岳先進在展會上發布的12英寸碳化硅襯底，迅速引起了博世、英飛凌、奔馳等國際巨頭的廣泛關注。這一產品的成功發布，標志著天岳先進在碳化硅襯底技術上的又一次飛躍。
天岳先進在碳化硅襯底技術領域一直保持著領先地位。早在2023年，公司就成功發布了全球首枚8英寸液相法制備的低缺陷碳化硅襯底。此次發布的12英寸碳化硅襯底，更是將公司的技術優勢推向了新的高度。這一產品的成功，得益于天岳先進在合成材料、晶體生長、襯底加工等方面的深厚積累。
碳化硅作為第三代半導體材料的代表，具有優異的性能優勢，是半導體材料技術領域重點發展的方向。隨著新能源汽車、光伏儲能等產業的快速發展，碳化硅材料的需求呈現出爆發式增長。天岳先進的12英寸碳化硅襯底產品，將進一步擴大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，大幅提升合格芯片產量，降低單位成本，為碳化硅材料的更大規模應用提供了可能。
天岳先進在“液相法”碳化硅襯底技術領域也取得了顯著成果。液相法具有生長高品質晶體的優勢，天岳先進通過多年的布局和研發，成功獲得了低貫穿位錯和零層錯的碳化硅晶體。這一技術的突破，將極大加速高性能SiC-IGBT的發展進程，實現高端特高壓功率器件國產化。
天岳先進在碳化硅襯底技術領域的持續創新，不僅鞏固了公司在全球市場的領先地位，更為整個碳化硅行業樹立了新的標桿。公司的12英寸碳化硅襯底產品，將推動碳化硅材料在更多領域的應用，為半導體產業的發展注入新的活力。
天岳先進在國際市場上已展現出強大的影響力。公司不僅成功切入英飛凌、博世等國際大廠的供應鏈，還實現了連續多個季度的營收環比增長。此次12英寸碳化硅襯底產品的海外首發，更是讓市場對其未來發展充滿了期待。
