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在芯片制造領域,一項名為光學鄰近校正(OPC)的技術正發揮著越來越重要的作用。OPC技術通過修正掩膜版上的圖形,解決了因衍射受限成像而導致的圖像失真問題,從而顯著提升了芯片制造的良率。在這一技術的前沿,東方晶源公司憑借其創新實力,成為了國內領先的計算光刻解決方案提供商。

自2014年成立以來,東方晶源便創造性地提出了基于CPU+GPU混合算力構架的全芯片反向光刻技術(ILT)解決方案,并在此基礎上研發出了PanGen?良率綜合優化產品。經過長達十年的開發與迭代,這款產品已經成功應用于國內眾多主流邏輯和存儲芯片制造商的工藝研發和量產過程中,為芯片制造行業帶來了顯著的效益。

近期,東方晶源再次針對國內前沿客戶的需求,推出了PanGen?V5.0版本。這一新版本在保持全芯片反向光刻技術思路的基礎上,推出了多種滿足不同掩膜復雜度的ILT解決方案,包括Freeform Sbar、Freeform mask以及curvelinear mask等。其中,基于Manhattan圖形化的Freeform mask解決方案在先進節點制造中獲得了硅片驗證,結果顯示,針對孔形版圖,該方案能夠提升光刻工藝窗口20%以上。

在算力支持方面,PanGen?V5.0全面支持主流x86、英偉達GPU計算集群生態,以及ARM計算集群、海光DCU等國產計算集群。該產品還支持云服務與云計算,為用戶提供了更加靈活和高效的算力選擇。

為了滿足先進封裝工藝大版圖OPC的需求,東方晶源還推出了PanGen BigOPC?產品,該產品支持多掩模拼接曝光技術,進一步提升了OPC技術在先進封裝工藝中的應用效果。

在硅光器件制造工藝仿真優化方面,PanGen?V5.0同樣表現出色。它支持多種曲線版圖的處理功能,能夠對任意彎曲圖形的掩模進行優化和光刻規則檢查。考慮到硅光器件與傳統芯片的需求差異,東方晶源還特別開發了曲線目標版圖掩膜優化功能,并已經獲得了客戶的驗證和認可。

針對高端芯片制造中刻蝕的長程負載效應問題,PanGen?V5.0也提供了創新的解決方案。它基于AI技術開發了刻蝕模型和刻蝕自動補償機制,能夠準確預測長程負載效應,并自動計算刻蝕補償量,從而有效增強圖形的一致性,提高客戶的綜合良率。

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標簽:光刻 助力 邁向 芯片 創新
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