近期，據(jù)業(yè)界消息透露，三星電子即將在國際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）這一科技盛會(huì)上，揭開其最新的第10代3D NAND Flash的神秘面紗。這款NAND Flash采用了超過400層的堆疊技術(shù)，接口速度更是達(dá)到了驚人的5.6 GT/s。
三星此次推出的新一代V-NAND，依舊沿用了TLC（三級(jí)單元）架構(gòu)設(shè)計(jì)，即每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)。在這一架構(gòu)下，每個(gè)芯片的容量高達(dá)1Tb（即128GB），展現(xiàn)了三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的深厚實(shí)力。
盡管這款新的3D TLC NAND Flash的存儲(chǔ)密度達(dá)到了28 Gb/mm2，但相較于三星此前推出的1Tb 3D QLC V-NAND（存儲(chǔ)密度高達(dá)28.5 Gb/mm2），仍略顯遜色。不過，后者目前仍是全球存儲(chǔ)密度最高的NAND Flash產(chǎn)品。
在接口速度方面，三星第10代V-NAND的表現(xiàn)尤為亮眼。其5.6 GT/s的接口速度，不僅遠(yuǎn)超同類產(chǎn)品，甚至超過了長江存儲(chǔ)的3.6 GT/s。在如此高速的接口下，數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)約700 MB/s，這一性能足以讓多個(gè)設(shè)備同時(shí)工作，以滿足高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨?。?jù)估算，10個(gè)這樣的設(shè)備就能使PCIe4.0 x4接口達(dá)到飽和狀態(tài)，而20個(gè)則足以讓更快的PCIe5.0 x4接口滿載運(yùn)行。
據(jù)悉，三星計(jì)劃在ISSCC 10上正式推出這款第10代V-NAND。這也意味著，這款NAND Flash很可能在明年開始進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。然而，關(guān)于這款新產(chǎn)品何時(shí)會(huì)應(yīng)用到三星自家的SSD產(chǎn)品中，目前尚無法確定。
