還記得DDR4時(shí)代的三星B-Die，喜歡折騰超頻玩家的最愛，瘋狂刷新D4頻率的記錄。到DDR5時(shí)代，Hynix 原廠顆粒又著實(shí)火一把，將DDR5內(nèi)存頻率推向新的高度。
今天我們給大家評測一款7200MHz的DDR5內(nèi)存，來自朗科Z系列RGB DDR5-7200 16GBx2套裝，采用Hynix 原廠顆粒，一鍵XMP可到7200MHz的高頻，時(shí)序低至CL34，超頻能力非常猛 。加上1.8mm加厚裝甲，電鍍銀的鏡面外觀以及多彩酷炫的RGB燈效，匹配Intel高端13代酷睿平臺正好。
外觀與細(xì)節(jié)介紹：
Z系列是朗科旗艦定位的內(nèi)存，主要面向于高端玩家，在外觀設(shè)計(jì)上可謂獨(dú)具一格。鋁合金的散熱馬甲，采用先進(jìn)的電鍍銀工藝處理，金屬表面宛如一面鏡子般，在光線折射下，奢華的質(zhì)感拉滿。
金屬表面運(yùn)用了立體的設(shè)計(jì)，看上去類似一個(gè)Z字造型，與產(chǎn)品名相呼應(yīng)上。線條之間勾勒，盡顯優(yōu)雅美感。
散熱馬甲的厚度達(dá)到1.8mm，用料扎實(shí)，上手分量感十足，還可以帶來更出色的散熱效果。其高度約為50mm，若裝風(fēng)冷散熱器，注意一下與散熱器的兼容性。
內(nèi)部的PCB板也進(jìn)行加厚，同時(shí)金手指采用鍍金工藝，具有良好的耐腐蝕，抗磨損能力，保證長時(shí)間使用，信號傳輸?shù)姆€(wěn)定無誤。
內(nèi)存的頂部靠邊處印上Netac的品牌LOGO。
內(nèi)存標(biāo)簽，支持Intel XMP3.0技術(shù)，一鍵開啟之后，內(nèi)存可工作在7200MHz的頻率下，單條容量16GB，雙通道可組32GB容量。時(shí)序控制得相當(dāng)出色，做到CL34-45-45-115，工作電壓1.4V。
值提一提的是，頂部的導(dǎo)光條表面也采用了電鍍工藝，與金屬馬甲保持了高度的一致性，整體外觀視覺更協(xié)調(diào)統(tǒng)一。
內(nèi)部設(shè)有8顆高亮的RGB燈珠，支持1680萬種燈光色彩，同時(shí)通過四大板廠(華碩/華擎/技嘉/微星)的軟件認(rèn)證，實(shí)現(xiàn)燈光的聯(lián)動，打造燈效同步的RGB主機(jī)。
RGB燈效賞析：
點(diǎn)亮之后，燈光比較柔和，且亮度足夠，在不同燈光色彩以及不同燈效模式，呈現(xiàn)不一樣的視覺體驗(yàn)。
整機(jī)的燈光同步之后，主機(jī)里流光溢彩，在光影之間，詮釋玩家的個(gè)性。
性能測試：
測試平臺：
作為一款高頻內(nèi)存，需要匹配高端硬件平臺。CPU選擇的是i9-13900K，13代酷睿的旗艦，搭配一張高端的Z790主板，能夠更好發(fā)揮朗科Z系列RGB DDR5-7200 16GBx2套裝的性能。
來看CPU-Z的SPD截圖，內(nèi)置一檔XMP-7200參數(shù)。開啟之后，內(nèi)存自動工作在7200MHz頻率，CL34-45-45-115的時(shí)序，電壓1.4V下。
接下來，讓我們來看看，普通4800MHz（CL40） VS XMP至7200MHz（CL.34），性能差距到底有多少？
AIDA64內(nèi)存性能基準(zhǔn)測試：
在AIDA64測試中，朗科Z系列RGB DDR5-7200內(nèi)存的讀取/寫入/復(fù)制速度比起DDR5-4800的，有巨大的提升，已經(jīng)飆到100GB/s以上。再看延遲表現(xiàn)，在高頻低時(shí)序加持下，延遲也降下來，從83.3ns降至61.9ns，對于延遲敏感的應(yīng)用和游戲，無疑是大大的利好。
SiSoftware Sandra 內(nèi)存帶寬測試：
DDR5-4800頻率跑出的帶寬僅64.16GB/s，而在7200MHz高頻下，帶寬飆到96GB/s，提升幅度達(dá)到33%，這就是高頻的內(nèi)存實(shí)力。
視頻轉(zhuǎn)碼輸出：
高頻內(nèi)存在生產(chǎn)力上表現(xiàn)如何呢？我們使用大家常用PR軟件來導(dǎo)出同一個(gè)視頻工程文件，導(dǎo)出格式H.264，總大小709MB，然后記錄導(dǎo)出的時(shí)間。
在朗科Z系列RGB DDR5-7200內(nèi)存加持下，導(dǎo)出時(shí)間要比4800MHz縮短21秒左右，顯著提升工作的效率，提高生產(chǎn)力。
對CPU的性能影響：
這里我們跑了7款常見的CPU測試軟件，主要考驗(yàn)CPU的基準(zhǔn)性能。可以看到，7200MHz的高頻助力下，i9-13900K性能得到不同程度的提升。
游戲性能測試：
游戲測試，主要選擇了一些對內(nèi)存帶寬及延遲比較敏感的游戲來測試，包括《絕地求生：大逃殺》、《孤島驚魂5》和《彩虹六號：圍攻》。
這三款游戲的幀率提升分別達(dá)到29、34、99幀，所以對于喜歡玩此類游戲的玩家，用高頻條會有更好的游戲體驗(yàn)。
超頻測試：
前面我們提到這款內(nèi)存采用Hynix 原廠顆粒，具備很強(qiáng)的超頻潛力，7200MHz只是它XMP的頻率，最終可以超到多少呢？
經(jīng)過我們一番探索，在現(xiàn)有平臺的基礎(chǔ)上，最終將內(nèi)存頻率超至8000MHz，此時(shí)內(nèi)存的電壓略升高至1.50V，時(shí)序調(diào)整為40-46-46-128，順利完成RunMemtestPro 4.5燒機(jī)測試，100%無錯(cuò)誤。
根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，要超到8000MHz的天花板級別頻率，不僅對平臺硬件，對內(nèi)存顆粒體質(zhì)提出很高的要求，并且對內(nèi)存馬甲和PMIC散熱同樣有非常高的要求，朗科Z系列RGB DDR5-7200內(nèi)存真正做到了。不過需要注意的是，調(diào)節(jié)參數(shù)超到高頻容易，但要過重負(fù)載的穩(wěn)定性測試，需要小參上認(rèn)真探索。
內(nèi)存超頻至8000MHz后，讀速度來到了128GB/s，寫速度來到121GB/s左右，延遲60.9ns。相比于7200MHz，提升也是相當(dāng)可觀的。
只要你愿意折騰，這就相當(dāng)于“花小錢辦大事”。要知道現(xiàn)在DDR5-8000MHz內(nèi)存，都是“鈔”能力的玩家才玩得起。
總結(jié):
朗科Z系列DDR5-7200內(nèi)存定位于高端玩家，硬件發(fā)燒友以及專業(yè)內(nèi)容創(chuàng)作者，開啟XMP后，內(nèi)存頻率直達(dá)7200MHz,讀寫均超過了100GB/s。在超頻過程中，被我們超到8000MHz超高頻率，性能又進(jìn)一步提升，同時(shí)可以穩(wěn)定運(yùn)行。
就算不會折騰超頻，當(dāng)頻率達(dá)到7200MHz的時(shí)候，它的綜合性能表現(xiàn)相比4800MHz普條有質(zhì)的飛躍。同時(shí)，電鍍銀鏡面外觀，金屬質(zhì)感十足，配合酷炫的RGB燈效，顏值與可玩性都是佼佼者。這款內(nèi)存還提供終身售后服務(wù)，解決玩家的后顧之憂。
對于追求高性能的用戶，朗科Z系列DDR5-720016GBx2高頻內(nèi)存肉眼可見的性能提升，將是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。目前它的價(jià)格僅1499，放心沖就對了。
