【ITBEAR】9月12日消息，半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)重大突破！全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司英飛凌科技，近日成功研發(fā)出首款直徑為300毫米的功率氮化鎵（GaN）晶圓技術(shù)，該技術(shù)將大幅提升芯片生產(chǎn)效率并降低成本。
相較于傳統(tǒng)的200毫米晶圓，300毫米晶圓擁有更大的面積，這意味著在相同的生產(chǎn)過(guò)程中能夠制造出數(shù)量更多的芯片。這一創(chuàng)新不僅將生產(chǎn)效率提高了2.3倍，同時(shí)也為氮化鎵技術(shù)的更廣泛應(yīng)用鋪平了道路，使其在經(jīng)濟(jì)性方面更具競(jìng)爭(zhēng)力。
據(jù)ITBEAR了解，氮化鎵功率半導(dǎo)體因其卓越的效率、小巧的尺寸以及輕盈的重量，正迅速被工業(yè)、汽車(chē)、消費(fèi)電子、計(jì)算和通信等多個(gè)領(lǐng)域所采納。英飛凌的這一技術(shù)突破無(wú)疑將加速這一趨勢(shì)。
英飛凌計(jì)劃在未來(lái)的慕尼黑電子展上，向全球展示其先進(jìn)的300毫米GaN技術(shù)。此外，公司已在奧地利菲拉赫的工廠(chǎng)成功實(shí)現(xiàn)了該技術(shù)的量產(chǎn)，并準(zhǔn)備根據(jù)市場(chǎng)反響進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。
英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck對(duì)此次成就表示自豪，他強(qiáng)調(diào)這是公司創(chuàng)新實(shí)力和全球團(tuán)隊(duì)協(xié)作的成果，并認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)將重塑行業(yè)格局，充分釋放氮化鎵的潛力。
隨著300毫米功率氮化鎵晶圓技術(shù)的問(wèn)世，英飛凌科技進(jìn)一步鞏固了其在半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位，同時(shí)也為全球電子產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入了新的活力。
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