【ITBEAR】9月24日消息，創(chuàng)意電子（GUC）今日宣布，其自主研發(fā)的3nm工藝HBM3E內存控制器與物理層（PHY）IP已成功獲得業(yè)界多家重要CSP云服務提供商及HPC解決方案供應商的青睞，并將于今年進入流片階段，支持高達9.2Gbps的HBM3E內存?zhèn)鬏斔俾省?/p>
作為領先的ASIC設計服務提供商，創(chuàng)意電子的最大股東（持股35%）及唯一晶圓代工廠商均為臺積電，后者同時也是其在先進制程與封裝技術領域的關鍵合作伙伴。
據ITBEAR了解，創(chuàng)意電子的HBM3E IP已經通過臺積電N7/N6、N5/N4P、N3E/N3P等一系列先進工藝制程技術的驗證，且與所有主流HBM3廠商的產品兼容。此外，該IP還在臺積電的CoWoS-S及CoWoS-R先進封裝技術上完成了流片驗證。
在與美光的合作中，創(chuàng)意電子的HBM3E IP與美光的HBM3E產品在臺積電CoWoS-S與CoWoS-R平臺上實現(xiàn)了9.2Gbps的傳輸速率，并在不同溫度與電壓條件下均展現(xiàn)出優(yōu)異的眼圖邊限性能。
創(chuàng)意電子首席運營官Aditya Raina表示：“我們很高興看到我們的HBM3E控制器和PHY IP被整合到CSP和HPC ASIC中。這一解決方案不僅經過了流片驗證，還得到了多個先進技術與主流廠商的認可，榮獲多家大廠的采用，這充分證明了其穩(wěn)健性和優(yōu)勢。我們期待繼續(xù)為人工智能、高效能運算、網絡和汽車等各種應用提供支持。”
除了HBM3E之外，創(chuàng)意電子還在積極與美光等HBM內存供應商合作，共同為下一代AI ASIC開發(fā)HBM4 IP。
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