歐盟委員會主席馮德萊恩（左三）、臺積電董事長魏哲家（左四）、德國總理朔爾茨（左五）參加在德國德累斯頓舉行的ESMC奠基儀式（圖片來源：TSMC）
斥資近800億的臺積電首個歐洲芯片工廠正式落地。
8月20日消息，鈦媒體App獲悉，晶圓代工龍頭臺積電，與英飛凌、恩智浦、博世聯(lián)合成立的臺積電首個歐洲芯片制造工廠（ESMC）在德國薩克森自由州德累斯頓落地，并舉行動土典禮。
臺積電表示，首座ESMC晶圓廠總計投資金額預(yù)估超過100億歐元（約合人民幣791.93億元），包括股權(quán)注資、借債、以及歐盟和德國政府的大力支持，計劃于2024年底前開始興建，預(yù)計將于2027年底進(jìn)入生產(chǎn)階段。全面運營后，ESMC將生產(chǎn)TSMC 28/22nm CMOS 以及16/12nm FinFET電晶體技術(shù)芯片，即生產(chǎn)最先進(jìn)12nm芯片，預(yù)計將創(chuàng)造約2000個直接的高科技專業(yè)工作機(jī)會，從而支持歐洲的先進(jìn)汽車芯片制造系統(tǒng)。
新廠意義重大。這是臺積電在歐洲建立的首個芯片制造工廠，同時是德國薩克森自由州史上最大規(guī)模的單一投資案，而且還是歐盟首個，也是迄今唯一一個具備先進(jìn)制造產(chǎn)能的芯片生產(chǎn)基地，以及臺積電在全球建立的首個重點為汽車和工業(yè)領(lǐng)域生產(chǎn)芯片的晶圓廠。
臺積電董事長、總裁魏哲家表示：“我們與博世、英飛凌和恩智浦一起合作興建這座德勒斯登晶圓廠，以滿足快速成長的歐洲汽車和工業(yè)領(lǐng)域?qū)τ诎雽?dǎo)體的需求。藉由這座最先進(jìn)的晶圓廠，我們將把臺積電先進(jìn)制造能力帶給我們的歐洲客戶和合作伙伴，刺激當(dāng)?shù)氐慕?jīng)濟(jì)發(fā)展，并推動整個歐洲的技術(shù)往前邁進(jìn)。”
德國總理奧拉夫·朔爾茨（Olaf Scholz）則表示：“我們依賴芯片半導(dǎo)體來發(fā)展可持續(xù)的未來技術(shù)，但我們不能依賴世界其他地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)。”值得一提的是，ESMC晶圓廠中有一半（約50億歐元）來自德國政府的補(bǔ)助。
歐盟執(zhí)委會主席馮德萊恩（Ursula von der Leyen）則直接宣布，歐盟執(zhí)委會已依據(jù)歐盟國家補(bǔ)助規(guī)則（EU State aid rules）通過一項50億歐元（約合人民幣395.96億元）對德國的補(bǔ)助措施，以支持ESMC 半導(dǎo)體晶圓廠的建設(shè)工程和營運。
據(jù)悉，ESMC成立于2023年，由臺積電（TSMC）、博世（Bosch）、英飛凌（Infineon）及恩智浦（NXP）共同投資，旨在歐洲建立一座先進(jìn)的半導(dǎo)體晶圓廠。其中，臺積電持有德累斯頓工廠70%的股權(quán)，博世、英飛凌和恩智浦各持有10%股權(quán)。
除了CMOS和FinFET之外，ESMC未來將開發(fā)針對汽車應(yīng)用、嵌入式閃存芯片、電阻式存儲芯片（RRAM）、磁阻式隨機(jī)存取存儲芯片（MRAM）、射頻（RF）及其他非揮發(fā)性存儲芯片等創(chuàng)新的差異化技術(shù)。臺積電強(qiáng)調(diào)，其將按照專業(yè)積體電路制造服務(wù)模式經(jīng)營該晶圓廠，并不受限服務(wù)博世、英飛凌和恩智浦以外的客戶。
當(dāng)前，德國正帶領(lǐng)歐盟努力到2030年生產(chǎn)全球五分之一（20%）的半導(dǎo)體，以解決兩年前全球汽車“缺芯”帶來的混亂和產(chǎn)能不足情況，從而實現(xiàn)尖端芯片制造的本土化。
朔爾茨政府已計劃投入200億歐元來支持德國芯片生產(chǎn)，其中包括臺積電工廠和為計劃在馬格德堡建設(shè)的英特爾公司工廠提供的100億歐元援助。而ESMC首個晶圓廠將幫助歐洲減少對亞洲進(jìn)口芯片的依賴，此前大眾汽車、保時捷等德國汽車制造商已表示有興趣提高國內(nèi)芯片產(chǎn)量，增加新工廠訂單。
當(dāng)前臺積電業(yè)績較為穩(wěn)定。7月18日，臺積電（TPE：2330/NYSE：TSM）公布2024年二季度財報，當(dāng)季實現(xiàn)營收6735.1億新臺幣，同比增長40.1%；當(dāng)季實現(xiàn)凈利潤為2476.62億新臺幣，同比增長36.3%。以美元口徑計，當(dāng)季實現(xiàn)營收208.22億美元，凈利潤為76.57億美元。
其中，生成式AI熱潮之下，數(shù)據(jù)中心AI芯片的旺盛需求是臺積電過去幾個季度業(yè)績復(fù)蘇的最大驅(qū)動力。英偉達(dá)主力產(chǎn)品H100以及采用最新的Blackwell架構(gòu)的GPU、AMD的MI300、英特爾的Gaudi 3等AI芯片，均使用臺積電5納米工藝。魏哲家表示，下一代2nm制程將在2025年投入量產(chǎn)，與上一代制程相比，相同能效下2納米提供的速度快10%-15%，相同速度下2nm制程的能效高25%-30%。“隨著AI的強(qiáng)勁需求持續(xù)，臺積電將繼續(xù)投資以支持客戶增長。”
根據(jù)規(guī)劃，2024全年，臺積電資本開支達(dá)到300-320億美元，其中70%-80%將用于先進(jìn)制程研發(fā)，10%-20%將用于特殊工藝研發(fā)，10%將用于先進(jìn)封裝、測試技術(shù)。
近期臺積電明顯加大海外建廠速度，今年已在日本開設(shè)了第一家工廠，并承諾在美國亞利桑那州建造三家先進(jìn)芯片工廠，總投資額已經(jīng)超過650億美元（約合人民幣4636.13億元），即超過4600億元。
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