【ITBEAR】9月12日消息，三星電子近日宣布，已正式量產(chǎn)采用低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)的1太比特四層單元(QLC)第九代V-NAND產(chǎn)品。該技術(shù)顯著降低了驅(qū)動(dòng)NAND存儲(chǔ)單元所需的電壓，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)讀取功耗降低30%至50%，大幅提升了產(chǎn)品的能效。
通過(guò)采用預(yù)設(shè)模具技術(shù)，三星對(duì)存儲(chǔ)單元的字線間距進(jìn)行了精細(xì)調(diào)整，確保了存儲(chǔ)單元特性的高度一致性。據(jù)ITBEAR了解，此項(xiàng)改進(jìn)不僅在同一層內(nèi)，而且在不同層之間都實(shí)現(xiàn)了性能的提升，數(shù)據(jù)保存性能因此提高了約20%，顯著增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性。
在技術(shù)創(chuàng)新方面，三星電子的雙堆棧架構(gòu)和通道孔蝕刻技術(shù)使得第九代QLC V-NAND的存儲(chǔ)單元層數(shù)達(dá)到業(yè)界頂尖水平。這一技術(shù)的運(yùn)用，使得新產(chǎn)品的位密度比前一代提升了86%，存儲(chǔ)單元面積和外圍電路得到了顯著優(yōu)化。
此外，三星的預(yù)測(cè)程序技術(shù)通過(guò)精準(zhǔn)預(yù)測(cè)和控制存儲(chǔ)單元狀態(tài)變化，有效減少了冗余操作，從而實(shí)現(xiàn)了寫(xiě)入性能翻倍和I/O速度提升60%的顯著成效。
第九代V-NAND還引入了下一代NAND閃存接口“Toggle 5.1”，將數(shù)據(jù)傳輸速度提升了33%，達(dá)到每秒3.2千兆位的高速傳輸。同時(shí)，三星計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大對(duì)PCIe 5.0的支持，以鞏固在高性能NAND市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
值得一提的是，與前一代產(chǎn)品相比，第九代V-NAND在總體功耗上降低了10%，這一成果充分展現(xiàn)了三星在追求技術(shù)創(chuàng)新和能效優(yōu)化方面的堅(jiān)定決心和卓越能力。
隨著這款高性能、低功耗的第九代V-NAND產(chǎn)品的量產(chǎn)，預(yù)計(jì)將在品牌消費(fèi)類產(chǎn)品、移動(dòng)通用閃存(UFS)、個(gè)人電腦等多個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，為廣大客戶提供更加全面和優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。
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