引言
當半導體制造工藝演進到22nm及以下節點時，隨著多重圖形技術的引入，對不同工藝層之間套刻（Overlay）誤差的要求變得越來越高。套刻測量技術可分為基于像面圖像識別測量技術和基于衍射原理的DBO（Diffraction Based Overlay）測量技術。相比于基于圖像識別的方法，基于衍射的套刻誤差測量具有更好的測量結果重復性、更低的設備引起測量誤差TIS（Tool Introduced Shift）、可適應更小的特征尺寸等特點，成為大規模集成電路22 nm及以下工藝技術節點所廣泛采用的套刻測量方式。
為了測量套刻誤差，在晶圓上需要專門設計特定的套刻標記，套刻誤差裝置測量的性能很大程度上取決于套刻標記的設計?；谟嬎愎饪痰腄BO套刻標識優化工具可以仿真套刻誤差測量的關鍵指標，從而基于仿真結果可以給出具有更佳表現的套刻標記設計方案，進而縮短標記研發的周期并提高整個光刻過程的效率和質量。
產品簡介
東方晶源基于堅實的計算光刻平臺PanGen®推出了DBO套刻標記仿真優化產品PanOVL，可以對套刻標記從多個關鍵指標維度展開計算仿真。同時考慮大規模仿真海量套刻標記的應用場景，PanOVL引入了分布式的計算框架，大大加速了通過仿真尋找更優套刻標記的效率。
產品功能
東方晶源的PanOVL軟件利用PanGen OPC®引擎以及PanGen Sim®嚴格電磁場仿真引擎，借助GPU+CPU混算平臺和PanGen®分布式計算框架，可以進行大規模套刻標記仿真，并綜合多個維度的仿真結果優選出表現更佳的套刻標記方案用于實際光刻工藝。 PanOVL可以識別具有較大工藝窗口的套刻標記、給出滿足良好信噪比并且探測信號抗工藝擾動能力更強的套刻標記，還可以仿真曝光過程像差對套刻標記的影響，提供令套刻測量結果更貼合器件實際情況的套刻標記。
展望
東方晶源PanOVL產品的發布豐富了PanGen®計算光刻平臺產品矩陣，同時通過以PanOVL產品為紐帶可以加強與產業鏈上下游的合作，為客戶提供更全面的服務，助力客戶在晶圓制造能力方面的提升。PanOVL的研發將進一步夯實東方晶源在計算光刻領域的技術全面性和拓展性，為業界帶來更加領先、前瞻的晶圓制造EDA解決方案。
