隨著3D NAND的堆疊層數(shù)越來越多，廠家門也在著手研究新的生產(chǎn)技術以改進效率，SK海力士就在評估東京電子最新的低溫蝕刻設備，該設備可以在-70℃的低溫下運行，用來生成400層以上堆疊的新型3D NAND。低溫蝕刻設備的鉆孔速度是傳統(tǒng)工具的三倍，對多層數(shù)的3D NAND非常有用。
根據(jù)thelec的消息，SK海力士正在把測試晶圓發(fā)送到東京電子的實驗室，而不直接進口設備，很明顯是在評估新設備的能力。當前的蝕刻工藝是在0℃到30℃的溫度范圍內(nèi)工作的，而東京電子的蝕刻設備在-70℃低溫下運行，這形成了鮮明的對比，根據(jù)他們的論文數(shù)據(jù)，新的蝕刻機可以在33分鐘內(nèi)進行10微米深的高深度比蝕刻，比現(xiàn)有工具快三倍以上，這一成果是一項重大的技術進步，而且大大提升了3D NAND的生產(chǎn)效率。
SK海力士現(xiàn)在的321層3D NAND據(jù)說采用了三重堆棧結構，采用東京電子的新設備后可能以單堆?；螂p堆棧的方式構建400層的3D NAND，生產(chǎn)效率明顯提高，當然這能否成功還得看設備的可靠性以及性能一致性。
此外SK海力士考慮應用低溫蝕刻設備的另一個原因是減少碳排放，現(xiàn)有的蝕刻工藝中，使用的是具有較高全球變暖潛能值(GWP)的碳氟化合氣體，如四氟化碳和八氟丙烷，其GWP分別為6030和9540，但東京電子新一代蝕刻設備使用的是GWP小與1的氟化氫氣體，這將大幅減少溫室氣體的排放。
同時三星也在驗證這一新技術，與SK海力士不同的是，三星是直接引進東京電子的新設備進行測試。
【來源：超能網(wǎng)】
