5月9日消息，DRAM內(nèi)存芯片和內(nèi)存條、NAND閃存和SSD硬盤正在新一輪的上漲周期中加速狂奔，集邦咨詢?cè)谧钚聢?bào)告中大幅上調(diào)了二季度的價(jià)格漲幅預(yù)期，尤其是內(nèi)存。
2024年第一季度，內(nèi)存芯片合約價(jià)格上漲了多達(dá)20％，原本預(yù)計(jì)二季度會(huì)小幅上漲3-8％，但是集邦咨詢最新修正為13-18％。
NAND閃存的趨勢(shì)也類似，一季度已經(jīng)漲了多達(dá)23-28％，二季度原本預(yù)計(jì)漲13-18％，但現(xiàn)在上調(diào)為15-20％。
唯一利好的就是eMMC/UFS閃存，預(yù)計(jì)第二季度只會(huì)漲大約10％——其實(shí)也不少了。
集邦咨詢表示，4月3日的花蓮大地震是一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。
震前，內(nèi)存和閃存現(xiàn)貨價(jià)格和交易量都持續(xù)走低，上漲動(dòng)力不足，主要是AI之外的智能手機(jī)、筆記本市場(chǎng)需求疲軟，PC廠商庫(kù)存也逐漸增加，買方也不愿意接受連續(xù)漲價(jià)。
但是震后，PC廠商出于種種考慮開(kāi)始接受內(nèi)存、閃存合約價(jià)大幅上漲，尤其到了4月底，新一輪合約價(jià)談判陸續(xù)完成，漲幅超過(guò)此前預(yù)期，一方面是買方有意愿增加庫(kù)存，另一方面是AI需求持續(xù)強(qiáng)勁。
尤其值得一提的是，AI對(duì)于HBM高帶寬內(nèi)存需求旺盛，原廠都在紛紛擴(kuò)產(chǎn)。
比如三星的HBM3E，使用了先進(jìn)的1α工藝，尤其是第三季度會(huì)大幅擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)到今年底這部分產(chǎn)能將占到大約60％，自然會(huì)排擠DDR5的產(chǎn)能，進(jìn)一步加劇漲價(jià)。
同時(shí)，AI推理服務(wù)器越來(lái)越考慮節(jié)能，優(yōu)先采用企業(yè)級(jí)QLC SSD，也會(huì)占用相當(dāng)大的產(chǎn)能，導(dǎo)致消費(fèi)級(jí)的NAND出現(xiàn)緊缺。
【來(lái)源：快科技】
