【ITBEAR科技資訊】4月1日消息，近日，據(jù)權(quán)威外媒Semiconductor Engineering報道，在備受矚目的行業(yè)盛會Memcon 2024上，三星電子透露了其雄心勃勃的計劃：預(yù)計在2025年后，引領(lǐng)業(yè)界率先邁入3D DRAM內(nèi)存新紀(jì)元。
隨著DRAM內(nèi)存行業(yè)不斷將線寬推至10納米以下的極限，當(dāng)前的設(shè)計方案正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。在此背景下，業(yè)界紛紛將目光投向了包括3D DRAM在內(nèi)的創(chuàng)新型內(nèi)存設(shè)計，以期突破技術(shù)瓶頸。
在Memcon 2024的演講中，三星向與會者展示了其在3D DRAM內(nèi)存領(lǐng)域的兩項革命性技術(shù)：垂直通道晶體管(Vertical Channel Transistor)與堆疊DRAM(Stacked DRAM)。相較于傳統(tǒng)的水平溝道晶體管，垂直通道晶體管通過改變溝道方向，實現(xiàn)了器件面積的顯著縮減，盡管這同時也對刻蝕工藝的精度提出了更高的要求。
另一方面，堆疊DRAM技術(shù)的亮相同樣引人注目。該技術(shù)通過充分利用z軸空間，使得在有限的芯片面積內(nèi)能夠容納更多的存儲單元。據(jù)三星公布的數(shù)據(jù)顯示，采用堆疊DRAM技術(shù)后，單芯片的存儲容量有望提升至驚人的100G以上。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，三星對于3D DRAM市場的未來充滿了信心。據(jù)市場分析師預(yù)測，到2028年，3D DRAM市場的規(guī)模有望達(dá)到驚人的1000億美元(折合人民幣約7240億元)。為了在這場激烈的競爭中搶占先機，三星已于今年初在美國硅谷設(shè)立了全新的3D DRAM研發(fā)實驗室，旨在匯聚全球頂尖科研力量，共同推動3D DRAM技術(shù)的突破與創(chuàng)新。
三星的這一系列舉措無疑向外界傳遞了一個明確的信號：在即將到來的3D DRAM時代，三星將繼續(xù)保持其在內(nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并致力于推動整個行業(yè)的持續(xù)進(jìn)步與發(fā)展。
