【ITBEAR科技資訊】2月24日消息，據韓媒Sedaily報道，三星在半導體工藝領域取得重大進展，正朝著2納米技術節點邁進，并有望在未來擊敗其主要競爭對手。目前，三星晶圓代工廠(Samsung Foundry)正在積極開發名為SF2 GAAFET的先進工藝。
據ITBEAR科技資訊了解，三星已經與高通深化了合作關系。高通計劃采用三星代工廠最新的全柵極(GAA)工藝技術，以優化和開發下一代ARM Cortex-X CPU。這意味著，高通可能正在評估三星的2納米SF2 GAAFET工藝，以備用于未來遙遠的驍龍8 Gen 5芯片組。
另一方面，三星的LSI部門也在積極行動，據傳他們正在開發采用2納米工藝的"Exynos 2600"系統芯片設計。不過，此前有消息稱，三星正在開發的配備10核CPU集群的Exynos 2500芯片組，雖然將接替Exynos 2400，但不太可能使用2納米工藝進行量產，因為這種技術預計要到2026年才能投入使用。
此外，援引ETNews的報道，高通公司已向三星和臺積電提出了2納米樣品的請求。然而，這項技術更可能用于未來的驍龍8 Gen 5，而非即將面世的驍龍8 Gen 4。
在2納米工藝的競爭中，三星似乎已經領先于臺積電。據報道，三星已經獲得了第一個客戶——一家名為Preferred Networks(PFN)的日本初創公司。通過增強其自家的Exynos芯片，三星有望降低對高通驍龍芯片的依賴。這背后的一個重要原因是，高通公司不斷提高其高端SoC的定價，而三星則希望通過2納米工藝進一步降低這種依賴。
