【ITBEAR科技資訊】2月17日消息，持續(xù)提升芯片性能的關(guān)鍵在于不斷縮小晶體管尺寸，而半導(dǎo)體行業(yè)對此的探索從未止步。然而，隨著技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)也面臨著一些挑戰(zhàn)。
ASML首席技術(shù)官M(fèi)artin van den Brink曾在2022年9月表示，經(jīng)過數(shù)十年的創(chuàng)新，High-NA EUV可能已接近其技術(shù)極限。然而，令人欣喜的是，在經(jīng)過一年多的深入探索后，ASML在《2023年度報(bào)告》中提出了一個(gè)全新的概念——Hyper-NA EUV，預(yù)計(jì)將在2030年左右問世。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，Brink在報(bào)告中指出，Hyper-NA的數(shù)值孔徑(NA)高于0.7，這將為半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的機(jī)遇。與High-NA EUV相比，Hyper-NA在成本上更具優(yōu)勢，同時(shí)它還能為DRAM等領(lǐng)域帶來新的可能性。對于ASML而言，Hyper-NA有望推動(dòng)其整體EUV能力的提升，從而改善成本和交付周期。
目前，ASML的Low-NA EUV光刻工具已經(jīng)能夠支持4nm/5nm工藝芯片的生產(chǎn)。然而，隨著工藝的不斷進(jìn)步，3nm及以下的工藝對光刻技術(shù)的要求也在不斷提高。盡管High-NA EUV在一定程度上能夠滿足這些需求，但金屬間距在1nm之后的進(jìn)一步縮小仍然是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。
為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，ASML正在積極研究Hyper-NA技術(shù)的可行性。雖然目前還沒有做出最終決定，但公司已經(jīng)在探索開發(fā)這種更先進(jìn)的光刻工具。然而，提高投影光學(xué)器件的數(shù)值孔徑不僅需要巨大的投資，還需要重新設(shè)計(jì)光刻工具和開發(fā)新的組件，這無疑將增加成本的壓力。
根據(jù)微電子研究中心(IMEC)的路線圖，到2030年左右，半導(dǎo)體工藝有望推進(jìn)到A7 0.7nm。而在這個(gè)過程中，Hyper-NA EUV技術(shù)有望發(fā)揮關(guān)鍵作用。當(dāng)然，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場需求的不斷變化，半導(dǎo)體行業(yè)還需要持續(xù)探索和創(chuàng)新，以應(yīng)對未來的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。
