【ITBEAR科技資訊】2月17日消息，持續提升芯片性能的關鍵在于不斷縮小晶體管尺寸，而半導體行業對此的探索從未止步。然而，隨著技術的發展，光刻技術也面臨著一些挑戰。
ASML首席技術官Martin van den Brink曾在2022年9月表示，經過數十年的創新，High-NA EUV可能已接近其技術極限。然而，令人欣喜的是，在經過一年多的深入探索后，ASML在《2023年度報告》中提出了一個全新的概念——Hyper-NA EUV，預計將在2030年左右問世。
據ITBEAR科技資訊了解，Brink在報告中指出，Hyper-NA的數值孔徑(NA)高于0.7，這將為半導體行業帶來新的機遇。與High-NA EUV相比，Hyper-NA在成本上更具優勢，同時它還能為DRAM等領域帶來新的可能性。對于ASML而言，Hyper-NA有望推動其整體EUV能力的提升，從而改善成本和交付周期。
目前，ASML的Low-NA EUV光刻工具已經能夠支持4nm/5nm工藝芯片的生產。然而，隨著工藝的不斷進步，3nm及以下的工藝對光刻技術的要求也在不斷提高。盡管High-NA EUV在一定程度上能夠滿足這些需求，但金屬間距在1nm之后的進一步縮小仍然是一個巨大的挑戰。
為了應對這一挑戰，ASML正在積極研究Hyper-NA技術的可行性。雖然目前還沒有做出最終決定，但公司已經在探索開發這種更先進的光刻工具。然而，提高投影光學器件的數值孔徑不僅需要巨大的投資，還需要重新設計光刻工具和開發新的組件，這無疑將增加成本的壓力。
根據微電子研究中心(IMEC)的路線圖，到2030年左右，半導體工藝有望推進到A7 0.7nm。而在這個過程中，Hyper-NA EUV技術有望發揮關鍵作用。當然，隨著技術的不斷進步和市場需求的不斷變化，半導體行業還需要持續探索和創新，以應對未來的挑戰和機遇。
